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產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:SMD緊湊型封裝SiC MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:SMD緊湊型封裝SiC MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 單通道 600V 可提供高密度、高效率的解決方案
封裝:QFN-21產(chǎn)品說明:CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 單通道 600V 可提供高密度、高效率的解決方案
封裝:QFN-21產(chǎn)品說明:600V CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 可提供高密度、高效率的解決方案
封裝:QFN-28產(chǎn)品說明:600V CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 可提供高密度、高效率的解決方案
封裝:QFN-28產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:采用 DirectFET L8 封裝的 40V 汽車單 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
封裝:DirectFET-L8產(chǎn)品說明:表面貼裝型 N 通道 80 V 300A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1
封裝:HSOF-8產(chǎn)品說明:汽車級 接口 PG-VQFN-48-31
封裝:VQFN48電話咨詢:86-755-83294757
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