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Lattice Semiconductor MachXO2 可編程邏輯器件 (PLD) 由六個超低功耗、即時啟動、非易失性 PLD 組成，可提供 256 至 6864 個查找表 (LUT) 的密度。此外，萊迪思半導體的 MachXO2 系列 PLD 提供了多種特性，例如嵌入式塊 RAM (EBR)、分布式 RAM 和用戶閃存 (UFM)，這些特性使這些器件能夠用于低成本、大容量的消費者和系統(tǒng)中應用程序。 

MachXO2 器件采用 65nm 非易失性低功耗工藝設計，提供兩個版本 - 超低功耗 (ZE) 和高性能（HC 和 HE）。MachXO2 還提供各種先進的無鹵素封裝，并提供增強的 I/O 功能，例如驅動強度控制、壓擺率控制、PCI 兼容性、總線保持器鎖存器和上拉電阻器。MachXO2 還通過片上閃存提供靈活、可靠和安全的配置。

萊迪思通過 MachXO2-4000 系列 PLD 擴展了其 MachXO2 PLD 產品。

產品屬性

產品種類: FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列

系列: LCMXO2

邏輯元件數(shù)量: 4320 LE

輸入/輸出端數(shù)量: 206 I/O

工作電源電壓: 2.5 V/3.3 V

最小工作溫度: 0 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: CABGA-256

分布式RAM: 34 kbit

內嵌式塊RAM - EBR: 92 kbit

最大工作頻率: 269 MHz

濕度敏感性: Yes

邏輯數(shù)組塊數(shù)量——LAB: 540 LAB

工作電源電流: 8.45 mA

總內存: 222 kbit

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