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GNP1070TC-ZE2采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD保護和出色的散熱性能，方便安裝。應用包括高開關頻率和高密度轉換器。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，5.5V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：98 毫歐 @ 1.9A，5.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 18mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：5.2 nC @ 6 V

Vgs（最大值）：+6V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：200 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：56W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：DFN8080K

封裝/外殼：8-PowerDFN

應用

● 高切換頻率轉換器

● 高密度轉換器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。