商品名稱:IMD701AQ064X128AAXUMA1
數(shù)據(jù)手冊:IMD701AQ064X128AAXUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:64-WFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IMD701AQ064X128AAXUMA1是專為 3 相 BLDC 或 PMSM 驅(qū)動器應(yīng)用而設(shè)計的控制器。集成了英飛凌 XMC1400 系列的完全可編程 XMC1404 ARM? Cortex?-M0 微控制器和6EDL7141 集成電源的 60V 三相智能柵極驅(qū)動器。集成這兩款器件可實現(xiàn)驅(qū)動應(yīng)用的超緊湊型設(shè)計,不僅包括微控制器和靈活的三相柵極驅(qū)動器,還包括系統(tǒng)所需的全套電源(同步降壓轉(zhuǎn)換器和 LDO)、3 個電流檢測放大器、保護裝置和一套出色的配置,以滿足特定需求。
產(chǎn)品屬性
核心處理器:ARM? Cortex?-M0
程序存儲器類型:閃存(128kB)
控制器系列:XMC1404
RAM 大?。?6K x 8
接口:CAN,I2C,SPI,UART/USART
I/O 數(shù):20
電壓 - 供電:5.5V ~ 60V
工作溫度:-40°C ~ 115°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:64-WFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:PG-VQFN-64-8
應(yīng)用
● 電池供電電動工具和園藝工具
● 機器人割草機
● 電動自行車
● 機器人、遙控玩具、消費類無人機和多旋翼飛行器
● 泵和風扇
● 其他 3 相 BLDC 和 PMSM 電機
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IPW65R018CM8
IPW65R018CM8是(Infineon)推出的650V CoolMOS? 8 代超結(jié)(SJ)MOSFET,屬于第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。以下是其核心參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):116A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)…IPW65R025CM8
IPW65R025CM8是(Infineon)推出的一款CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,它根據(jù)超級結(jié)(SJ)原理設(shè)計,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有優(yōu)異的換向耐受性,因此適合用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):…IPW65R060CM8
IPW65R060CM8是一款45 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。IPW65R060CM8具有優(yōu)異的換向耐受性,因此適合用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)。關(guān)鍵參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):45A(…IMDQ75R025M2H
IMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款CoolSiC? 750V G2碳化硅MOSFET,其設(shè)計具有高效率,能強力防止單極柵極驅(qū)動的寄生導(dǎo)通,以及具有可靠性。這款CoolSiC? 750V G2 MOSFET改進了柵極控制,使得最大漏-源導(dǎo)通電阻在25 m?以下,讓開關(guān)損耗也尤為突出。主要規(guī)格FET 類…IMDQ75R007M2H
IMDQ75R007M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? MOSFET ,屬于第二代產(chǎn)品,采用碳化硅(SiC)技術(shù),主要規(guī)格包括:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):222A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V…電話咨詢:86-755-83294757
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