商品名稱:IMT65R107M1HXUMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMT65R107M1HXUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerSFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IMT65R107M1HXUMA1將碳化硅的物理強(qiáng)度與放大器件性能、可靠性和易用性相結(jié)合。憑借其最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝,CoolSiC? MOSFET在應(yīng)用中提供最低的損耗,在操作中提供最高的可靠性。CoolSiC非常適合在高溫和惡劣環(huán)境應(yīng)用中使用。
特點(diǎn)
● 優(yōu)化的電流切換行為
● 具有低 Qf 的換向堅(jiān)固外殼二極管
● 卓越的氧化門可靠性
● 最大溫度為 175°C,具有優(yōu)異的熱性能
● 較低的 RDS(導(dǎo)通)和強(qiáng)電流對(duì)溫度的依賴性
● 提高了雪崩能力
● 兼容標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器(推薦驅(qū)動(dòng)電壓:0V-18V)
● 高電壓源可將開關(guān)損耗降低多達(dá) 4 倍
應(yīng)用
● 不間斷電源
● UPS(不間斷電源)
● 太陽能光伏逆變器
● 電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施
● 儲(chǔ)能和電池信息
● 類放大器
型號(hào)
品牌
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描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPW65R018CM8
IPW65R018CM8是(Infineon)推出的650V CoolMOS? 8 代超結(jié)(SJ)MOSFET,屬于第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。以下是其核心參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):116A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)…IPW65R025CM8
IPW65R025CM8是(Infineon)推出的一款CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,它根據(jù)超級(jí)結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì),具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有優(yōu)異的換向耐受性,因此適合用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):…IPW65R060CM8
IPW65R060CM8是一款45 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。IPW65R060CM8具有優(yōu)異的換向耐受性,因此適合用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。關(guān)鍵參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):45A(…IMDQ75R025M2H
IMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款CoolSiC? 750V G2碳化硅MOSFET,其設(shè)計(jì)具有高效率,能強(qiáng)力防止單極柵極驅(qū)動(dòng)的寄生導(dǎo)通,以及具有可靠性。這款CoolSiC? 750V G2 MOSFET改進(jìn)了柵極控制,使得最大漏-源導(dǎo)通電阻在25 m?以下,讓開關(guān)損耗也尤為突出。主要規(guī)格FET 類…IMDQ75R007M2H
IMDQ75R007M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? MOSFET ,屬于第二代產(chǎn)品,采用碳化硅(SiC)技術(shù),主要規(guī)格包括:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):222A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V…電話咨詢:86-755-83294757
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