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NVMFS021N10MCLT1G 汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計，具有高散熱性能。提供用于增強光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)翼選件。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET，具有 PPAP 能力，適合汽車應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 100 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 8.4A（Ta），31A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 23 毫歐 @ 7A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3V @ 42μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 13 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 850 pF @ 50 V  

功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），49W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型：表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN，5 引線

應(yīng)用

開關(guān)電源

電源開關(guān)（高壓側(cè)驅(qū)動器、低壓側(cè)驅(qū)動器、H 橋等）

48V 系統(tǒng)

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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