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PSMN2R0-55YLHX 200A N溝道增強型MOSFET采用LFPAK56E封裝。這是用于電池隔離和直流電機控制的ASFET系列的一部分，采用Nexperia獨特的“ SchottkyPlus ”技術(shù)，提供通常與集成肖特基或類肖特基二極管的MOSFET相關(guān)的高效率和低尖峰性能，但不會出現(xiàn)高泄漏電流問題。ASFET特別適合需要強大雪崩能力、線性模式性能、高開關(guān)頻率以及高負(fù)載電流下安全可靠開關(guān)的36 V電池供電應(yīng)用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：55 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：200A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：2.1 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：184 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：11353 pF @ 27 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：333W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56，Power-SO8

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

基本產(chǎn)品編號：PSMN2R0

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