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PSMN0R7-25YLDX 25V N溝道增強(qiáng)型MOSFET采用LFPAK56封裝，器件提供通常與集成肖特基或類肖特基二極管的MOSFET相關(guān)的高效率、低尖峰性能，但沒有高泄漏電流問題。此器件特別適合高開關(guān)頻率下的高效率應(yīng)用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：25 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：300A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：0.72 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：110.2 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：8320 pF @ 12 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：158W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56; Power-SO8

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

基本產(chǎn)品編號：PSMN0R7

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