商品名稱:BUK9M4R3-40HX
數(shù)據(jù)手冊(cè):BUK9M4R3-40HX.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK33
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
BUK9M4R3-40HX Trench 9汽車用MOSFET是一系列低RDS(on) 40V AEC-Q101 MOSFET,用于要求苛刻的動(dòng)力傳動(dòng)系應(yīng)用中的模塊。該器件采用微型LFPAK33封裝,占位面積僅為10.9mm2。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):95A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.3 毫歐 @ 95A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):31 nC @ 10 V
Vgs(最大值):+16V,-10V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):90W
工作溫度:175°C
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33
封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線)
基本產(chǎn)品編號(hào):BUK9M4
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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PSC2065JJ
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GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開(kāi)關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無(wú)引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無(wú)需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電…GANB4R8-040CBAZ
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