商品名稱:MT41K512M16VRP-107 AIT:P
數(shù)據(jù)手冊:MT41K512M16VRP-107 AIT:P.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封裝:96-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
MT41K512M16VRP-107 AIT:P 8Gb (TwinDie) DDR3L SDRAM (1.35V) 在一個封裝中使用兩個 4Gb DDR3L SDRAM x8 芯片,實現(xiàn) 2 字節(jié) x16 器件。
特性
VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
向后兼容 VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
差分雙向數(shù)據(jù)選通
8n 位預(yù)取架構(gòu)
差分時鐘輸入(CK、CK#)
8 個內(nèi)部銀行
數(shù)據(jù)、選通和掩碼信號的標(biāo)稱和動態(tài)片上終止 (ODT)
可編程 CAS(讀?。┭舆t (CL)
可編程貼片 CAS 加法延遲 (AL)
可編程 CAS(寫)延遲 (CWL)
固定突發(fā)長度 (BL) 為 8,突發(fā)斬波 (BC) 為 4(通過模式寄存器組 [MRS])。
可選擇實時 BC4 或 BL8 (OTF)
自刷新模式
在 -40°C 至 +105°C 溫度范圍內(nèi),刷新周期為 64 毫秒,在 -40°C 至 +85°C 溫度范圍內(nèi),刷新周期為 8192 毫秒,在 +85°C 至 +105°C 溫度范圍內(nèi),刷新周期為 32 毫秒
自刷新溫度 (SRT)
自動自我刷新 (ASR)
寫入均衡
多用途寄存器
輸出驅(qū)動器校準(zhǔn)
AEC-Q100
提交 PPAP
8D 響應(yīng)時間
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
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Micron是全球著名的半導(dǎo)體存儲器方案供應(yīng)商。該公司的存儲器方案被應(yīng)用于計算機及外設(shè)、消費電子、CAD/CAM、通信、辦公室自動化、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)處理、圖形顯示等。公司1978年組建,總部位于美國愛德荷州,有員工約16,000人,擁有全球化的生產(chǎn)、銷售網(wǎng)點。目前主要生產(chǎn)DRAM、…
MT54A16G8080A00AC-32:A
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MT61M256M32JE-12 AAT:A是一款 GDDR6 動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。電話咨詢:86-755-83294757
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