商品名稱：MT62F512M64D4EK-031 AIT:B
品牌：Micron
年份：23+
封裝：441-TFBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
MT62F512M64D4EK-031 AIT:B 用于移動設備和人工智能的 LPDDR5 DRAM 專為滿足 5G 網(wǎng)絡的需求而設計。該 DRAM 可使 5G 智能手機以高達 6.4Gbps 的峰值速度處理數(shù)據(jù)。這對于防止 5G 數(shù)據(jù)瓶頸至關重要。LPDDR5 DRAM 的數(shù)據(jù)訪問速度提高了 50%，從而滿足了這些要求。與前幾代產(chǎn)品相比，這些器件的能效還提高了 20% 以上。
特性
先進的 1y 納米節(jié)點，容量為 12GB，數(shù)據(jù)速度為 6.4Gbps，改進了整體 DRAM 設計
支持 edge+ 智能手機的下一代功能
帶寬提升 50%以上，加快了 5G 和人工智能等下一代旗艦智能手機功能的性能
與 LPDDR4 相比，能效提高 20% 以上，使旗艦智能手機在兩次充電之間的運行時間更長
應用
智能手機
人工智能
專業(yè)攝影
沉浸式娛樂
增強型游戲
客戶端電腦
聯(lián)網(wǎng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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MT61M256M32JE-12 AAT:A是一款 GDDR6 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）。電話咨詢：86-755-83294757
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