商品名稱:NV6132A-RA
數(shù)據(jù)手冊:NV6132A-RA.pdf
品牌:Navitas
年份:23+
封裝:30-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NV6132A-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了帶集成柵極驅(qū)動的高性能 eMode GaN FET,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。它還集成了 GaNSense? 技術,可實時、準確地檢測電壓、電流和溫度,從而進一步提高性能和穩(wěn)健性,這是任何分立氮化鎵或分立硅器件都無法實現(xiàn)的。
特性
GaNFast? 功率集成電路
- 單片集成柵極驅(qū)動
- 寬 VCC 范圍(10 至 30 V)
- 可編程導通 dV/dt
- 200 V/ns dV/dt 抗擾度
- 800 V 額定瞬態(tài)電壓
- 700 V 額定連續(xù)電壓
- 450 mΩ 低電阻
- 零反向恢復電荷
- 2 MHz 工作頻率
GaNSense? 技術
- 集成式無損耗電流檢測
- 短路保護
- 過溫保護
- 自主低電流待機模式
- 自動待機模式輸入
應用
- 交流-直流、直流-交流、直流-交流
- 高達 2 MHz 的高頻操作
- QR 反激式、AHB、降壓、升壓、半橋、全橋、LLC 諧振、D 類、PFC
- 無線供電、太陽能微型逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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納微半導體(Navitas Semiconductor)成立于 2014 年,專注于開發(fā)超高效的氮化鎵半導體產(chǎn)品。 2022年1月,納微半導體宣布開設新的電動汽車 (EV) 設計中心,進一步擴展到更高功率的氮化鎵市場。氮化鎵功率芯片企業(yè)納微半導體宣布推出全新一代采用GaNSense技術的智能GaNFas…
G2R1000MT33J
G2R1000MT33J器件是一款3300 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,其低導通電阻為1000mΩ,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率。基本參數(shù)漏源電壓(Vdss)?:3300V?連續(xù)漏極電流(Id)?:4A(在25C時)?驅(qū)動電壓(Vgs)?:最大20V?導通電阻(RdsOn)?:1000mΩ?功率耗散(…NV6115-RA
NV6115-RA芯片的導阻為170mΩ,耐壓650V,支持2MHz開關頻率,采用5*6mm QFN封裝,節(jié)省面積,得益于NV6115內(nèi)置驅(qū)動器,無需外置驅(qū)動器,更加節(jié)省PCB空間。GaNFast 功率集成電路將反激式、半橋、諧振等傳統(tǒng)拓撲結(jié)構(gòu)的功能擴展到 MHz 以上,使突破性設計得以商業(yè)化。產(chǎn)品屬性…NV6117-RA
這款 NV6117-RA GaNFast 功率集成電路針對高頻軟開關拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化。場效應晶體管、驅(qū)動和邏輯的單片集成創(chuàng)造了一個易于使用的 "數(shù)字輸入、電源輸出 "高性能動力總成構(gòu)件,使設計人員能夠創(chuàng)建世界上速度最快、體積最小、效率最高的電源轉(zhuǎn)換器。最高的 dV/…NV6152-RA
NV6152-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。產(chǎn)品特性GaNFast? 功率集成電路- 單片集成柵極驅(qū)動- 寬 VCC 范圍(10 至 30 V)- 可編程導通 dV/dt- 200 V/ns dV/dt 抗擾度- 800 V 額定瞬態(tài)電壓-…NV6153-RA
NV6153-RA GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。功能特點單片集成柵極驅(qū)動寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓300 mΩ 低電阻零反向…NV6158
NV6158 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動,可實現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運行。功能特點單片集成柵極驅(qū)動寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓120 mΩ 低電阻零反向恢復…電話咨詢:86-755-83294757
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