商品名稱：CAB760M12HM3
數(shù)據(jù)手冊：
CAB760M12HM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
CAB760M12HM3 Wolfspeed HM3高性能半橋模塊是經(jīng)過開關(guān)優(yōu)化的全碳化硅低電感半橋模塊，尺寸小巧 (110mm x 65mm x 12.2mm)。HM3元件采用經(jīng)過開關(guān)優(yōu)化的第三代碳化硅MOSFET技術(shù)。兼容62mm的輕質(zhì)ALSiC基板支持系統(tǒng)改造。其他特性包括+175°C工作結(jié)溫和高可靠性氮化硅絕緣體。HM3高性能半橋模塊非常適合用于鐵路/牽引、太陽能、電動汽車充電器以及工業(yè)自動化/測試應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：碳化硅（SiC）
配置：2 個 N 通道（半橋）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：1015A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.73 毫歐 @ 760A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 280mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：2724nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：79400pF @ 800V
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
供應(yīng)商器件封裝：模塊
應(yīng)用
● 鐵路與牽引
● 太陽能
● 電動汽車充電器
● 工業(yè)自動化與測試
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用，如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 -…
HAS530M12BM3
HAS530M12BM3是一款1200 V、2.67 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè) HV-H3TRB 認證的SiC 功率模塊，主要用于感應(yīng)加熱、電機驅(qū)動、能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、鐵路、電動汽車快速充電等高頻工業(yè)應(yīng)用?領(lǐng)域。HAS530M12BM3模塊的特性漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：530…
CHB011M12GM4
CHB011M12GM4是一款1200V，100A的T型工業(yè)級碳化硅（SiC）模塊，主要用于工業(yè)領(lǐng)域，特別是需要高性能、高可靠性的應(yīng)用場景。其低電感和穩(wěn)健的布局使其在惡劣環(huán)境下表現(xiàn)出色，適合各種工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)。CHB011M12GM4具有以下規(guī)格：技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：4 個 N 通…
CAB004M12GM4
CAB004M12GM4是一款1200 V / 200A的碳化硅（SiC）功率模塊，由Wolfspeed公司生產(chǎn)，主要用于各種工業(yè)應(yīng)用，特別是在需要高效、高可靠性的電力電子系統(tǒng)中。CAB004M12GM4具有以下規(guī)格參數(shù)：技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：-漏源電壓（Vdss）：1200V…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。HAS310M17BM3 的特點工業(yè)標準 62 mm 基底面外殼 CTI ≥ 600（I 類材料）符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標準高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)專為碳化硅優(yōu)化的低電感設(shè)計超低損耗、高頻運行常開、故障安全器件操作銅基板和氮化鋁絕緣…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…電話咨詢：86-755-83294757
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