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商品名稱(chēng):CY8C4149AZQ-S598
數(shù)據(jù)手冊(cè):CY8C4149AZQ-S598.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:100-TQFP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
CY8C4149AZQ-S598 PSoC? 4 是一種可擴(kuò)展、可重新配置的平臺(tái)架構(gòu),適用于采用 Arm? Cortex?-M0+ CPU 的可編程嵌入式系統(tǒng)控制器系列。
特性
32位MCU子系統(tǒng)
48MHz Arm Cortex-M0+ CPU,帶DMA控制器
384KB閃存和32KB靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
配有PLL的外部MHz振蕩器(ECO)和32kHz手表晶體振蕩器(WCO)
加密模塊包括AES、TRNG、PRNG、CRC和SHA
可編程模擬塊
一個(gè)12位1Msps SAR ADC
兩個(gè)運(yùn)算放大器可配置為可編程增益放大器(PGA)、比較器(CMP)等
兩個(gè)低功耗比較器
兩個(gè)采用下一代CAPSENSE技術(shù)的MSC(多檢測(cè)轉(zhuǎn)換器)模塊
一個(gè)CAN-FD(具有靈活數(shù)據(jù)速率的控制器局域網(wǎng))控制器
可編程數(shù)字塊
8個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器/脈寬調(diào)制器(TCPWM)模塊
5個(gè)串行通信塊(SCB),可配置為I2C、SPI或UART
分段式LCD
2個(gè)I 2S Mater通道
I/O子系統(tǒng)
多達(dá)84個(gè)GPIO,包括24個(gè)智能I/O
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號(hào):IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類(lèi)型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)充電解決方案、太陽(yáng)能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶(hù)提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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