商品名稱:CY8C624ABZI-S2D44T
數(shù)據(jù)手冊:CY8C624ABZI-S2D44T.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:124-VFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY8C624ABZI-S2D44T 是一款高性能、超低功耗和安全的 MCU 平臺,專為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而設(shè)計。
CY8C624ABZI-S2D44T 產(chǎn)品線基于 PSoC 6 MCU 平臺,是雙 CPU 微控制器與低功耗閃存技術(shù)、數(shù)字可編程邏輯、高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換以及標準通信和定時外設(shè)的結(jié)合。
特點
六種電源模式,實現(xiàn)精細的電源管理
深度睡眠模式電流為 7 μA,保留 64KB SRAM
片上 DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器,靜態(tài)電流 <1 μA
具有 64 字節(jié)內(nèi)存和實時時鐘的備份域
8 MHz 內(nèi)部主振蕩器 (IMO),精度為 ±2
超低功耗 32 kHz 內(nèi)部低速振蕩器 (ILO)
片上晶體振蕩器(16 至 35 MHz 和 32 kHz)
兩個鎖相環(huán) (PLL),用于倍增時鐘頻率
用于倍增 IMO 頻率的鎖相環(huán) (FLL)
整數(shù)和分數(shù)外設(shè)時鐘分頻器
從外部四路 SPI 閃存就地執(zhí)行 (XIP)
實時加密和解密
4-KB 緩存,以更低功耗實現(xiàn)更高的 XIP 性能
支持單通道、雙通道、四通道、雙四通道和八通道接口,吞吐量高達 640 Mbps
支持多達 101 個網(wǎng)段和 8 個共用接口
USB 全速設(shè)備接口
兩個獨立的 SD 主機控制器/eMMC/SD 控制器
32 個定時器/計數(shù)器/脈沖寬度調(diào)制器 (TCPWM)
中心對齊、邊緣和偽隨機模式
基于比較器的觸發(fā)殺死信號
兩個低功耗比較器可用于系統(tǒng)深度睡眠和休眠模式
與 ADC 連接的內(nèi)置溫度傳感器
可編程驅(qū)動模式、強度和壓擺率
六個過壓耐受 (OVT) 引腳
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
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答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號:IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
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IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計,包括工業(yè)驅(qū)動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
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