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IAUC60N10S5L110 是一款 11mR 100V MOSFET，采用 5x6 SSO8 封裝，采用英飛凌領(lǐng)先的 OptiMOS?-5 技術(shù)。除其他產(chǎn)品外，它還用于 LED 照明和 DCDC 轉(zhuǎn)換器。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 100 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 60A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 11 毫歐 @ 30A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.2V @ 30μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 24.1 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1665 pF @ 50 V  

FET 功能 -  功率耗散（最大值）： 88W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TDSON-8-33

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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