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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:IPB19DP10NM

商品名稱:IPB19DP10NM

數(shù)據(jù)手冊:IPB19DP10NM.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-TO263-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IPB19DP10NM
封裝
PG-TO263-3
描述
表面貼裝型 P 通道 100 V 2.9A(Ta), 13.8A(Tc) 3.8W(Ta),83W(Tc) PG-TO263-3

產(chǎn)品描述

IPB19DP10NM 12V-250V P溝道功率MOSFET為設(shè)計人員提供一個新選項,以便在優(yōu)化性能的同時簡化電路。P溝道器件的主要優(yōu)點是降低了中低功耗應(yīng)用中的設(shè)計復(fù)雜性。P溝道功率MOSFET非常適合用于電池保護(hù)、反極性保護(hù)、線性電池充電器、負(fù)載開關(guān)、直流-直流轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動應(yīng)用。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:P 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):2.9A(Ta), 13.8A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):185 毫歐 @ 12A, 10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 1.04mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):45 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2000 pF @ 50 V

功率耗散(最大值):3.8W(Ta),83W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB


應(yīng)用

● 電池保護(hù)

● 反極性保護(hù)

● 線性電池充電器

● 負(fù)載開關(guān)

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 低壓驅(qū)動

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描述

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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  • 4.我可以通過公司網(wǎng)站進(jìn)行詢價嗎?

    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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