商品名稱：IPLK60R600PFD7
數(shù)據(jù)手冊：
IPLK60R600PFD7.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：8-PowerTDFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IPLK60R600PFD7 600V CoolMOS? PFD7 超級結(jié) MOSFET 晶體管是面向消費應用的 CoolMOS? 7 產(chǎn)品的補充。IPLK60R600PFD7 采用 ThinPAK 5x6 封裝，具有 600mOhm 的 RDS(on)，開關(guān)損耗低。
特性概述
極低的 FOM RDS(on) x Eoss
集成堅固耐用的快速體二極管
高達 2kV 的 ESD 保護
廣泛的 RDS(on) 值范圍
出色的換向堅固性
低 EMI
優(yōu)勢
開關(guān)損耗最小
與最新的 CoolMOS? 充電器技術(shù)相比，功率密度有所提高
與用于低功率驅(qū)動應用的 CoolMOS? CE 技術(shù)相比，效率更高，熱性能更好
降低 BOM 成本，易于制造
穩(wěn)健性和可靠性
易于選擇合適的部件進行設計微調(diào)
潛在應用
消費類
充電器
適配器
冰箱
風扇
水泵
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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【IPB133N12NM6】120V，OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管，正常電平，采用 DPAK 3 引腳封裝。說明：IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級別 120 V MOSFET，導通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…
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IMCQ120R078M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V，78 mΩ G2，采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝，專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設計靈活性及性能的…
IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V，7 mΩ G2，采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝，專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設計靈活性及性能的…電話咨詢：86-755-83294757
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