商品名稱:IPD80R600P7
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPD80R600P7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO252-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPD80R600P7 MOSFET 的性價(jià)比屬同類(lèi)最佳,簡(jiǎn)單易用,能夠應(yīng)對(duì)各種應(yīng)用的挑戰(zhàn)。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET開(kāi)發(fā)用于反激式低功耗SMPS應(yīng)用,包括適配器和充電器、照明、音頻SMPS、AUX和工業(yè)電源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不僅設(shè)計(jì)用于小功率應(yīng)用,而且還用于大功率SMPS應(yīng)用,如太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器、電信和電動(dòng)汽車(chē)充電站。P7 MOSFET經(jīng)過(guò)徹底優(yōu)化,用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):800 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):8A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):600 毫歐 @ 3.4A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 170μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):20 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):570 pF @ 500 V
功率耗散(最大值):60W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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