商品名稱:IPW60R099C7
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPW60R099C7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPW60R099C7功率MOSFET標(biāo)志著技術(shù)的革命性進(jìn)步,它實(shí)現(xiàn)了低RDS(on)/封裝,而且,由于其開關(guān)損耗低,故在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)提高效率。C7系列優(yōu)化用于太陽(yáng)能、服務(wù)器、電信和UPS等應(yīng)用中的硬開關(guān)拓?fù)洌ㄈ绻β室驍?shù)校正 (CCM PFC)、雙晶體管正激 (TTF) 和太陽(yáng)能升壓)。該系列器件具有650V擊穿電壓,因此適合用于需要額外安全裕度的太陽(yáng)能和開關(guān)模式電源 (SMPS) PFC級(jí)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):14A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):99 毫歐 @ 9.7A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 490μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):42 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1819 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):110W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
封裝/外殼:TO-247-3
應(yīng)用
● 用于高功率/高性能的 PFC 級(jí)和 PWM 級(jí)(TTF,LLCSMPS,如計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、電信、UPS 和太陽(yáng)能
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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