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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IPW60R105CFD7

商品名稱:IPW60R105CFD7

數(shù)據(jù)手冊(cè):IPW60R105CFD7.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-TO247-3-41

貨期:全新原裝

庫(kù)存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IPW60R105CFD7
封裝
PG-TO247-3-41
描述
通孔 N 通道 600 V 21A(Tc) 106W(Tc) PG-TO247-3-41

產(chǎn)品描述

IPW60R105CFD7非常適合用于諧振大功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),采用高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)。這些MOSFET內(nèi)置快速體二極管,完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS應(yīng)用包括服務(wù)器、電信和電動(dòng)汽車充電站。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):600 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):21A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):105 毫歐 @ 9.3A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 470μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):42 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1752 pF @ 400 V

功率耗散(最大值):106W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3-41

封裝/外殼:TO-247-3


應(yīng)用

● 適用于軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

● 優(yōu)化用于移相全橋(ZVS)、LLC 應(yīng)用--服務(wù)器、電信、EVC 充電

相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

  • 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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