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IPW65R110CFD7擴(kuò)展了 CFD7 系列提供的電壓等級，是 650VCoolMOS?CFD2 的成功補(bǔ)充。該器件的電壓等級，并成為 650VCoolMOS?CFD2 的成功替代產(chǎn)品。開關(guān)性能和優(yōu)異的熱性能得到了改善，在諧振開關(guān)拓?fù)渲刑峁┝俗罡叩哪苄АＷ鳛橛w凌快體二極管產(chǎn)品組合的一部分，這一新產(chǎn)品系列融合了快開關(guān)的所有優(yōu)勢。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：22A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 9.7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 480μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：41 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1942 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：114W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應(yīng)用

● 適用于軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

● 優(yōu)化用于移相全橋（ZVS）、LLC 應(yīng)用--服務(wù)器、電信、EVC 充電、太陽能

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