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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IPZA65R029CFD7

商品名稱:IPZA65R029CFD7

數(shù)據(jù)手冊(cè):IPZA65R029CFD7.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-TO247-4-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IPZA65R029CFD7
封裝
PG-TO247-4-3
描述
通孔 N 通道 650 V 69A(Tc) 305W(Tc) PG-TO247-4-3

產(chǎn)品描述

IPZA65R029CFD7擴(kuò)展了 CFD7 系列提供的電壓等級(jí),是 650VCoolMOS?CFD2 的成功補(bǔ)充。產(chǎn)品的電壓等級(jí),并成為 650VCoolMOS?CFD2 的成功替代產(chǎn)品。在諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(如LLC和相移全橋(ZVS))中具有最高的效率。作為英飛凌快體二極管產(chǎn)品組合的一部分,這一新產(chǎn)品系列融合了快開關(guān)的所有優(yōu)勢(shì)。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):69A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):29 毫歐 @ 35.8A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1.79mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):145 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):7149 pF @ 400 V

功率耗散(最大值):305W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-4-3

封裝/外殼:TO-247-4


應(yīng)用

● 適用于軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

● 優(yōu)化用于移相全橋(ZVS)、LLC 應(yīng)用--服務(wù)器、電信、EVC 充電、太陽能

相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

  • 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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