商品名稱:IPT009N06NM5
數(shù)據(jù)手冊:IPT009N06NM5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPT009N06NM5是一款采用Toll封裝的60V OptiMOS?5 N溝道功率MOSFET。Infineon的TO無引腳封裝針對叉車、輕型電動(dòng)汽車(LEV)、負(fù)載點(diǎn)(POL)和電信等高電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。該封裝是高功率應(yīng)用的完美解決方案,這些應(yīng)用需要最高的效率、出色的EMI性能以及最佳的熱性能和空間縮減。
規(guī)格
產(chǎn)品種類: MOSFET
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-HSOF-8
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 427 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V
Qg-柵極電荷 56 nC
最小工作溫度: - 55°C
最大工作溫度: + 175°C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 31 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 27 ns
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 63 ns
典型接通延遲時(shí)間: 20 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…TLD1120EL
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