商品名稱:IQE004NE1LM7CGSC
數(shù)據(jù)手冊:IQE004NE1LM7CGSC.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-WHTFN-9
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IQE004NE1LM7CGSC 是業(yè)內(nèi)首個15 V溝槽式功率MOSFET產(chǎn)品組合的一部分。與OptiMOS?5 25 V相比,擊穿電壓的降低使RDS(on)和FOMQG改善了約30%,F(xiàn)OMQOSS改善了約40%。中心柵極尺寸經(jīng)過了并行化優(yōu)化。雙側(cè)冷卻功能提升了熱管理能力,將高功率SMPS應(yīng)用的功率密度和效率提升到新的水平。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):15 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58A (Ta), 379A (Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,7V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):0.45mOhm @ 30A, 7V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 432μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):55 nC @ 7 V
Vgs(最大值):±7V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6240 pF @ 7.5 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.1W(Ta),89W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-WHTFN-9
封裝/外殼:9-PowerWDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…TLD1120EL
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IR35201MTRPBF:3.3V,雙輸出數(shù)字多相控制器,QFN-56產(chǎn)品詳情:型號:IR35201MTRPBF封裝:QFN-56類型:數(shù)字多相控制器概述:IR35201MTRPBF 是一款雙回路數(shù)字多相降壓控制器,專為 CPU 電壓調(diào)節(jié)而設(shè)計。IR35201MTRPBF 產(chǎn)品特性:超低靜態(tài)功率雙輸出 8 相 (8+0/7+1/ 6+2) P…IR3899MTRPBF
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