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GS-065-011-2-L-MR是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實現高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 采用行業(yè)領先的創(chuàng)新技術，如獲得專利的 Island Technology? 單元布局，實現了大電流芯片和高產量。GS-065-011-2-L-MR是底部冷卻型晶體管，結殼熱阻低，適用于要求苛刻的高功率應用。這些特性相結合，可提供極高效率的功率開關。

特性

650 V 增強型功率晶體管

850 V 漏極至源極瞬態(tài)電壓

底部冷卻、8x8 毫米 PDFN 封裝

RDS(on) = 78 mΩ

IDSmax,DC = 18 A / IDsmax,Pulse = 35 A

超低 FOM

簡單的柵極驅動要求（0 V 至 6 V）

瞬態(tài)容差柵極驅動（-20 V / +10 V）

開關頻率高（> 1 MHz）

快速可控的下降和上升時間

反向導通能力

零反向恢復損耗

用于優(yōu)化柵極驅動的源檢測 (SS) 引腳

符合 RoHS 3 (6+4) 標準

應用

消費和工業(yè)電源

電源適配器

LED 照明驅動器

快速電池充電

功率因數校正

家電和工業(yè)電機驅動器

無線電力傳輸

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