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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IMW65R107M1H

商品名稱:IMW65R107M1H

數(shù)據(jù)手冊:IMW65R107M1H.pdf

品牌:INFINEON

年份:21+

封裝:TO-247-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:240

數(shù)量:
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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMW65R107M1H
封裝
TO-247-3
描述
650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝

產(chǎn)品描述

IMW65R107M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù),并經(jīng)過優(yōu)化,在毫不折衷的情況下,在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低損耗,并在運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝,以提供經(jīng)濟(jì)高效的性能。


產(chǎn)品參數(shù)

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:55 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:39 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.2 V

Qg-柵極電荷:39 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:227 W

通道模式:Enhancement


優(yōu)勢

高性能、高可靠性和易用性

實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率

降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性

減小系統(tǒng)尺寸

適用于具有硬換向事件的拓?fù)?/p>

適用于高溫和惡劣的運(yùn)行條件

實(shí)現(xiàn)雙向拓?fù)?/p>


潛在應(yīng)用

服務(wù)器

電信系統(tǒng)

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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