商品名稱:TDA38740-0000
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PQFN-36
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
TDA38740-0000 OptiMOS? IPOL 是一款簡(jiǎn)單易用、完全集成的高效同步降壓穩(wěn)壓器,帶有 PMBus 接口,最高支持 40 A 電流。該器件采用英飛凌的 FAST 恒定導(dǎo)通時(shí)間引擎,具有卓越的瞬態(tài)響應(yīng)能力。使用英飛凌的 XDP? Designer GUI 可輕松對(duì)其進(jìn)行配置,配置信息可存儲(chǔ)在片上存儲(chǔ)器中。
產(chǎn)品屬性
功能:降壓
輸出配置:正
拓?fù)洌航祲?/span>
輸出類型:可調(diào)式
輸出數(shù):1
電壓 - 輸入(最小值):3V
電壓 - 輸入(最大值):17V
電壓 - 輸出(最小值/固定):0.25V
電壓 - 輸出(最大值):5.12V
電流 - 輸出:40A
頻率 - 開關(guān):400kHz ~ 2MHz
同步整流器:是
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:36-PowerVFQFN
供應(yīng)商器件封裝:PG-IQFN-36-3
應(yīng)用
● 電信和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用
● 用于非核心應(yīng)用的服務(wù)器和高端桌面CPU VR
● 分布式負(fù)載點(diǎn)電源架構(gòu)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
HSOIC-8
2250
降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 固定 5V 1 輸出 500mA 8-PowerSOIC(0.154",3.90mm 寬)
Maxim
TDFN-12
2000
降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)(固定) 1V(3.3V) 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤
Maxim
TDFN-12
1000
降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)(固定) 3V(3.6V) 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26:汽車MOSFET——100V,OptiMOS?-T 功率晶體管,PG-TO263-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IPB35N10S3L-26封裝:PG-TO263-3類型:汽車 MOSFET 晶體管IPB35N10S3L-26 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級(jí)別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,78 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,7 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…電話咨詢:86-755-83294757
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