商品名稱:SCT025W120G3-4AG
品牌:ST
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
SCT025W120G3-4AG碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半導(dǎo)體先進的創(chuàng)新型第三代 SiC MOSFET 技術(shù)開發(fā)而成。該器件在整個溫度范圍內(nèi)具有極低的 RDS(on),同時還具有低電容和極高的開關(guān)操作性能,從而提高了頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和減重方面的應(yīng)用性能。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id);56A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):37mOhm @ 25A, 18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.2V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):73 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+18V,-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1990 pF @ 800 V
功率耗散(最大值):388W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4
封裝/外殼:TO-247-4
應(yīng)用
● 主逆變器(電力牽引)
● 用于電動汽車/混合動力汽車的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
● 車載充電器 (OBC)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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STM32L162RET6TR
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