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NVMYS021N06CLTWG適用于緊湊和高效設(shè)計(jì)的汽車用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封裝且具有較高的熱性能。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET，且符合生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序 (PPAP)，適用于需要更高板級可靠性的汽車應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: LFPAK-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 27 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 21 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 5 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 28 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

系列: NVMYS021N06CL

配置: Single

下降時(shí)間: 1.5 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 37 S

上升時(shí)間: 12 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns

典型接通延遲時(shí)間: 4 ns

應(yīng)用

反向電池保護(hù)

開關(guān)電源

電源開關(guān) - 高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、H 橋

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