STG200G65FD8AG是一款采用先進(jìn)的專有溝槽柵極場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)的IGBT。該器件是M系列IGBT的一員,代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,正VCE(sat)溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):600 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,200A
開關(guān)能量:5.34mJ(導(dǎo)通),6.23mJ(關(guān)斷)
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:701 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:66.2ns/442.7ns
測(cè)試條件:400V,200A,4.7 歐姆,15V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:SMD
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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