STL160N10F8是一款 100 V N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 STripFET F8 技術(shù)設(shè)計,具有增強型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。
它確保了極低導通電阻的先進性能指標,同時降低了內(nèi)部電容和柵極電荷,從而實現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)。
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerFLAT-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 158 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 90 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 19 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 60 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
應(yīng)用
? 服務(wù)器和電信電源
? 工業(yè)電池管理系統(tǒng) (BMS)
? 電動工具
? 無人機
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STL26N60DM6
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STM8S105K6U3ATR 是屬于 STM8S 系列 8 位微控制器,工作頻率為 16MHz,采用哈佛架構(gòu)和 3 級流水線,具備 32KB 的 Flash 程序存儲器,1K 字節(jié)的數(shù)據(jù) EEPROM,以及 2K 字節(jié)的 RAM。工作電壓范圍為 2.95V 至 5.5V,工作溫度范圍為 - 40℃至 125℃,采用 32-UFQFPN(5x5)封裝…STM32L031C6U6
STM32L031C6U6是一款超低功耗32位微控制器,基于Arm Cortex-M0+內(nèi)核設(shè)計,采用48引腳UFQFPN封裝(7x7mm)。電話咨詢:86-755-83294757
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