商品名稱:DRAM 存儲器
品牌:Alliance
年份:24+
封裝:FBGA-96
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
AS4C512M16D3LC-10BIN 8Gb(雙芯片)雙數(shù)據(jù)速率-3L DRAM 采用雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu),可實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。其內(nèi)部配置為八組 DRAM。
AS4C512M16D3LC-10BIN 的特點(diǎn)
使用兩個 4Gb x8 芯片組成一個 x16 封裝--單排雙芯片
符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)
電源: VDD 和 VDDQ = +1.35V
向后兼容 VDD 和 VDDQ =+1.5V±0.075V
支持 JEDEC 時鐘抖動規(guī)范
完全同步運(yùn)行
快速時鐘速率: 800/933MHz
差分時鐘、CK 和 CK#
雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通--DQS 和 DQS#
8 個內(nèi)部存儲庫,可同時運(yùn)行
8n 位預(yù)取架構(gòu)
流水線內(nèi)部結(jié)構(gòu)
預(yù)充電和主動掉電
可編程模式和擴(kuò)展模式寄存器
加法延遲 (AL):0、CL-1、CL-2
可編程突發(fā)長度:4、8
突發(fā)類型 順序/交錯
輸出驅(qū)動器阻抗控制
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Alliance Memory 是一家生產(chǎn)傳統(tǒng)和新技術(shù)存儲器產(chǎn)品的全球化無晶圓廠制造商,其產(chǎn)品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 產(chǎn)品。他們的產(chǎn)品組合包括與主流數(shù)字信號處理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
AS9F38G08SA-25BIN
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AS9F32G08SA-25BIN - 2Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器AS9F32G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲容量:4Gb存儲器組織:512M x 8存儲器接口:并聯(lián)寫周期時間 - 字,頁:25ns,700s訪問時間:20 ns電壓…AS9F31G08SA-25BIN
AS9F31G08SA-25BIN - 1Gbit、x8 位、3.3V SLC 并行 NAND 閃存存儲器AS9F31G08SA-25BIN - 產(chǎn)品描述:AS9F31G08SA-25BIN 是 SLC 并行 NAND 閃存,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。它的 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為…AS6C1616C-45TINTR
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