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NXH040F120MNF1PG：碳化硅 (SiC) 模塊 - 1200V，40mohm，SiC MOSFET 模塊

型號：NXH040F120MNF1PG

封裝：PIM-22

類型：碳化硅 (SiC) 模塊 - SiC MOSFET 模塊

概述：

NXH040F120MNF1PG 是 SiC MOSFET 模塊，在 F1 模塊中包含一個(gè) 40 歐姆 SiC MOSFET 全橋和一個(gè) NTC 熱敏電阻。

NXH040F120MNF1PG - 產(chǎn)品規(guī)格：

技術(shù)：碳化硅（SiC）

配置：4 個(gè) N 通道

漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：56 毫歐 @ 25A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 10mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：122.1nC @ 20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1505pF @ 800V

功率 - 最大值：74W（Tj）

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應(yīng)商器件封裝：22-PIM（33.8x42.5）

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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