商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:ON
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
NTH4L032N065M3S是一款EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S平面SiC MOSFET。該650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,采用緊湊的芯片尺寸,可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢(shì)包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低以及系統(tǒng)尺寸小。
產(chǎn)品屬性:
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:50 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:44 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:55 nC
封裝 / 箱體:TO-247-4
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:187 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo):onsemi
配置:Single
下降時(shí)間:9 ns
封裝:Tube
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
上升時(shí)間:12 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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