商品名稱:SCTW35N65G2VAG
數(shù)據(jù)手冊(cè):SCTW35N65G2VAG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:HiP247
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
SCTW35N65G2VAG 650V 45A 汽車級(jí)碳化硅功率MOSFET采用 ST先進(jìn)的創(chuàng)新第二/第三代碳化硅MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)而成。該器件具有出色的開(kāi)關(guān)性能,以及極低的單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)性能指標(biāo),從而實(shí)現(xiàn)了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):45A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V,20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):67毫歐 @ 20A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):73 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1370 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):240W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:HiP247?
封裝/外殼:TO-247-3
基本產(chǎn)品編號(hào):SCTW35
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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