商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IPA60R099P7:600V CoolMOS? P7 超結 (SJ) MOSFET —— N-溝道功率 MOSFET 晶體管
IPA60R099P7 是 600V,CoolMOS? P7 超結 (SJ) MOSFET 晶體管,該產(chǎn)品繼續(xù)在設計過程中的高效率與易用性之間保持平衡。第 7 代 CoolMOS? 平臺具有同類中較為出色的R onxA 和固有低柵極電荷 (Q G),確保高效率。
IPA60R099P7——產(chǎn)品屬性:
系列:CoolMOS? P7
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):31A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):99 毫歐 @ 10.5A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 530μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):45 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1952 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):29W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應商器件封裝:PG-TO220-FP
封裝/外殼:TO-220-3
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關,采用 SIPMOS 技術 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應用。電話咨詢:86-755-83294757
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