NVMFWS2D1N08XT1G是一款單N-通道功率MOSFET，具有80V的漏源電壓和181A的連續(xù)漏極電流，導通電阻為2.1mohm??。該器件采用SO8FL封裝，適用于需要高電流處理的電路設計。
產(chǎn)品屬性
晶體管極性：N-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：80 V
Id-連續(xù)漏極電流：181 A
Rds On-漏源導通電阻：2.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：3.6 V
Qg-柵極電荷：53 nC
工作溫度：- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散：148 W
通道模式：Enhancement
封裝：DFNW-5
配置：Single
下降時間：6 ns
正向跨導 - 最小值：135 S
產(chǎn)品類型：MOSFETs
上升時間：10 ns
系列：NVMFS2D1N08X
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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