商品名稱:IGBT 模塊
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:AG-PRIME2
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
FF450R17IE4是一款雙IGBT模塊,具有1700V的耐壓和450A的電流處理能力?。該模塊采用第四代TRENCHSTOP? IGBT技術(shù),并配備了溫度檢測(cè)NTC和快速開(kāi)關(guān)芯片,屬于PrimePACK? 2 系列?。
特征描述
提高工作溫度Tvj op
高直流電壓穩(wěn)定性
高電流密度
低開(kāi)關(guān)損耗
Tvj op = 150°C
低 VCEsat
封裝的 CTI > 400
高爬電距離和電氣間隙
高功率循環(huán)和溫度循環(huán)能力
銅基板
UL 認(rèn)證
FF450R17IE4應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
風(fēng)能系統(tǒng)
商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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