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DIF120SIC022是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管，由于SiC材料的特性，DIF120SIC022器件的開(kāi)關(guān)損耗較低。相比傳統(tǒng)的硅（Si）器件，SiC器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的損耗更小，這有助于提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性?。此外，DIF120SIC022器件適用于高頻應(yīng)用，能夠在高頻條件下穩(wěn)定工作，這對(duì)于需要高速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用尤為重要?。

技術(shù)參數(shù)

封裝 / 箱體：TO-247-4

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：120 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：22.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 4 V, + 18 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：269 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：340 W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)名：DIF120SIC022

商標(biāo)：Diotec Semiconductor

配置：Single

下降時(shí)間：35 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：41.5 S

產(chǎn)品：MOSFETs

產(chǎn)品類(lèi)型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：38 ns

晶體管類(lèi)型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：108 ns

典型接通延遲時(shí)間：150 ns

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。