采用 TO-247 封裝的 IMW65R007M2H CoolSiC? MOSFET 650 V、7 mΩ G2 在第 1 代技術優(yōu)勢的基礎上，加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設計。第 2 代產品在硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵性能指標方面均有顯著改進，適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。
IMW65R007M2H 的特點
優(yōu)異的性能指標 (FOM)
TO-247 內的個位數 RDS(on)
同類最佳 RDS(on)
高穩(wěn)定性和整體質量
支持單極驅動（Vgsoff=0）
最佳的抗導通效應
通過 .XT 改進封裝互連
IMW65R007M2H 的優(yōu)點
節(jié)省 BOM
最大限度地提高每美元的系統(tǒng)性能
可靠性最高
實現(xiàn)最高效率和功率密度
易于使用
與現(xiàn)有供應商完全兼容
允許無風扇或散熱片設計
型號
品牌
封裝
數量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
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IPC100N04S5-2R8是一款汽車級 N 溝道增強型功率 MOSFET，屬于 OptiMOS?-5 系列，采用 PG-TDSON-8 封裝形式
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IQE008N03LM5SC 屬于 Source-Down 系列，RDS(on) 為 0.85 mOhm。Source-Down 技術采用翻轉硅芯片，在元件內部倒置。它提高了散熱能力，改善了功率密度和布局可能性。雙面冷卻封裝的耗散功率是過模封裝的三倍，并提供標準和中心柵基底面。IQE008N03LM5SC 的特點RDS(on) 大…
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ISC055N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 正常電平在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技術旨在滿足高、低開關頻率應用以及硬開關和軟開關的要求。ISC055N15NM6 的特性極低的 RDS(on)FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20150 V 時的業(yè)界最低 Qrr與 OptiMOS?
ISC044N15NM6
ISC044N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 正常電平在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技術旨在滿足高、低開關頻率應用以及硬開關和軟開關的要求。ISC044N15NM6 的特性RDS(on) 比 OptiMOS? 5 低 41FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20150 V 時的業(yè)界最低 Qr
IAUTN08S5N012L
IAUTN08S5N012L 是 80V 1.15mΩ 或 9.0mΩ N 溝道 OptiMOS? 5 汽車 MOSFET 晶體管。IAUTN08S5N012L 的特點一個封裝中包含兩種 MOSFET！線性 FET 和低 RDS(on) FET 類型LINFET 開關速度慢，限制電流ONFET 用于限制穩(wěn)態(tài)損耗LINFET 具有增強的 SOA嚴格的 VGS(th) 范圍，適合…電話咨詢：86-755-83294757
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