SUPERFET V MOSFET(NTBL125N60S5H)是 onsemi 的第五代高壓超結(jié)(SJ)MOSFET 系列產(chǎn)品。SUPERFET V 提供一流的 FOM (RDS(ON)·QG 和 RDS(ON)·EOSS) 不僅提高了重負(fù)載,還提高了輕負(fù)載效率。NTBL125N60S5H器件通過降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗提供設(shè)計優(yōu)勢,同時支持 120 V/ns 的極端 MOSFET dVDS/dt 額定值。因此,SUPERFET V MOSFET FAST 系列有助于最大限度地提高系統(tǒng)效率和功率密度。
技術(shù)規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):22A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):125 毫歐 @ 11A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 2.1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):37.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2036 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):152W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-HPSOF
應(yīng)用領(lǐng)域
? 電信 / 服務(wù)器電源
? 電動汽車充電器 / UPS / 太陽能 / 工業(yè)電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NXH600N105H7F5S2HG
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