商品名稱:FGH60T65SHD-F155
數據手冊:FGH60T65SHD-F155.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
FGH60T65SHD-F155功能特點
? 最高結溫: TJ = 175°C
? 正溫度系數,便于并行操作
? 高電流能力
? 低飽和電壓: VCE(sat) = 1.6 V(典型值)@ IC = 60 A
? 100% 零件通過 ILM 測試(注 1)
? 高輸入阻抗
? 快速開關
? 嚴格的參數分布
? 該器件無鉛,符合 RoHS 規(guī)范
產品屬性
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):120 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):180 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,60A
功率 - 最大值:349 W
開關能量:1.69mJ(開),630μJ(關)
輸入類型:標準
柵極電荷:102 nC
25°C 時 Td(開/關)值:26ns/87ns
測試條件:400V,60A,6 歐姆,15V
反向恢復時間 (trr):34.6 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應商器件封裝:TO-247-3
應用
? 太陽能逆變器
? UPS
? 焊機
? 電信
? ESS
? PFC
型號
品牌
封裝
數量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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