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IPB072N15N3G 是英飛凌推出的N溝道增強型功率MOSFET，屬于OptiMOS?3系列，采用TO-263-3（D2PAK）封裝，適用于高頻開關、同步整流及高功率轉換應用。該器件具有極低的導通電阻和優(yōu)異的開關性能，可顯著提升系統(tǒng)效率并減少散熱需求。

規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品型號：IPB072N15N3G 

漏源電壓 (Vdss)：150V

連續(xù)漏極電流 (Id)：100A

導通電阻 (RDS(on))：7.2mΩ @ 10V, 100A

柵極電荷 (Qg)：93nC

閾值電壓 (Vgs(th))：4V @ 270μA

輸入電容 (Ciss)：5.47nF

最大功率耗散 (Pd)：300W

工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C

封裝：TO-263-3 (D2PAK)

應用

IPB072N15N3G適用于多種高功率應用，包括但不限于：

交流-直流開關電源的同步整流：提高電源轉換效率。

48V至80V系統(tǒng)的電機控制：如家用車輛、電動工具、卡車等。

隔離的直流-直流轉換器：用于電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。

不間斷電源 (UPS)：提供高效的電力備份。

Class D音頻放大器：實現(xiàn)高功率音頻輸出。

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