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IPB048N15N5LF（N-通道功率MOSFET）：150V，OptiMOS ?5 線性 FET 晶體管，PG-TO263-3

產(chǎn)品詳情：

型號：IPB048N15N5LF

封裝：PG-TO263-3

類型：N-通道功率MOSFET

說明：OptiMOS ?線性 FET 是一種革命性的方法，可以避免導(dǎo)通電阻 (R DS(on)) 和線性模式能力之間的權(quán)衡——在增強(qiáng)模式 MOSFET 的飽和區(qū)內(nèi)運(yùn)行。它提供了溝槽 MOSFET 的最先進(jìn)的 R DS(on) 以及經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)。

IPB048N15N5LF 產(chǎn)品屬性：

系列：OptiMOS? 5

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：150 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：4.8 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 255μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：84 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 75 V

功率耗散（最大值）：313W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3

封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB

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