商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:ST
年份:25+
封裝:DPAK
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:7550 件
STD10NM60N器件采用第二代MDmesh技術(shù)開(kāi)發(fā)的N溝道功率MOSFET。這款革命性功率MOSFET將垂直結(jié)構(gòu)與公司條帶布局相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了全球最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷之一,因此適用于要求最嚴(yán)苛的高效轉(zhuǎn)換器。
STD10NM60N 功能
100%雪崩測(cè)試
低輸入電容與柵極電荷
低柵極輸入電阻
STD10NM60N 參數(shù)
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 550 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 19 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
STD10NM60N 應(yīng)用
? 開(kāi)關(guān)應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
SPV1050TTR
SPV1050TTR是一款超低功耗、高效率的電源管理器,內(nèi)置四個(gè)MOSFET用于升壓或降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器,并額外配備一個(gè)用于負(fù)載連接/斷開(kāi)的晶體管。STM32H7A3VGH6
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L6205D013TR是一款專為電機(jī)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)的DMOS雙全橋,采用MultiPower-BCD工藝實(shí)現(xiàn),將隔離式DMOS功率晶體管與CMOS及雙極性電路集成于同一芯片。LIS3DHTR
LIS3DHTR是一款超低功耗高性能三軸線性加速度計(jì),屬于“nano”系列產(chǎn)品,配備數(shù)字I2C/SPI串行接口標(biāo)準(zhǔn)輸出。電話咨詢:86-755-83294757
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