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IPA65R660CFD是英飛凌的 N 溝道 MOSFET，屬于 CoolMOS CFD 系列。該系列 MOSFET 專為高電壓、高功率應用設計，具有低導通電阻和高開關速度的特點。

IPA65R660CFD 特性

高電壓：漏源極電壓（Vdss）高達 650V

高電流：連續(xù)漏極電流（Ids）為 6A

低導通電阻：在 10V 的柵源電壓下，導通電阻（Rds(on)）最大為 660 毫歐

快速開關：具備快速開關特性，適合高頻應用

高功率：最大耗散功率為 27.8W

封裝：采用 TO-220 封裝，適合通孔安裝

IPA65R660CFD 規(guī)格參數

通道類型：N 通道

漏源極電壓 (Vdss)：650V

連續(xù)漏極電流 (Ids)：6A

導通電阻 (Rds(on))：660 毫歐 @ 10V

柵極電荷 (Qg)：22nC @ 10V

輸入電容 (Ciss)：615pF @ 100V

最大耗散功率：27.8W

封裝：TO-220

應用

IPA65R660CFD 適用于多種高電壓、高功率的應用場景，包括但不限于：

電源管理：開關電源、DC-DC 轉換器。

工業(yè)控制：電機驅動、變頻器。

通信設備：基站電源、通信網絡設備。

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