深圳市明佳達電子全新原裝供應(yīng)存儲器 S25FL064LABMFV013/S25FL064LABMFB013 FLASH - NOR 存儲器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 8-SOIC產(chǎn)品型號：S25FL064LABMFV013/S25FL064LABMFB013系列：FL-L存儲器類型： 非易失 存儲器格式： 閃存 技術(shù)： FLASH - NOR 存儲…
深圳市明佳達電子全新原裝供應(yīng)存儲器 S25FL064LABMFV013/S25FL064LABMFB013 FLASH - NOR 存儲器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 8-SOIC
產(chǎn)品型號：S25FL064LABMFV013/S25FL064LABMFB013
系列：FL-L
存儲器類型： 非易失
存儲器格式： 閃存
技術(shù)： FLASH - NOR
存儲容量： 64Mbit
存儲器組織： 8M x 8
存儲器接口： SPI - 四 I/O，QPI
時鐘頻率：108 MHz
電壓 - 供電： 2.7V ~ 3.6V
工作溫度： -40°C ~ 105°C（TA）
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼： 8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
介紹
FL-L NOR閃存系列采用65nm工藝光刻和浮柵技術(shù)。FL-L系列通過串行外設(shè)接口(SPI)連接到主機系統(tǒng)。FL-L系列支持傳統(tǒng)的SPI單位（單I/O或SIO）以及可選的2位（雙I/O或DIO）。此外，它還支持4位寬四I/O (QIO) 和四外設(shè)接口 (QPI) 命令。
FL-L系列采用雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 讀取命令，用于傳送地址和在時鐘兩邊讀取數(shù)據(jù)的QIO和QPI。該架構(gòu)采用頁面編程緩沖區(qū)，允許在一個操作中編程達256字節(jié)。該架構(gòu)也提供單獨4KB扇區(qū)、32KB半塊、64KB塊或整個芯片擦除。FL-L NOR閃存具有各種移動或嵌入式應(yīng)用所使用的高密度、靈活性和快速性能。
該閃存可為有限空間、信號連接和電源系統(tǒng)提供出色的存儲解決方案。此外，該閃存非常適合用于RAM的代碼遮蔽、直接執(zhí)行代碼 (XIP) 和存儲可重新編程數(shù)據(jù)。
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