HMC7911LP5E：17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器其關(guān)鍵特性：轉(zhuǎn)換增益：18 dB（典型值）邊帶抑制：30 dBc（典型值）針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：2 dBm（典型值）輸出三階交調(diào)截點(OIP3)：33 dBm（典型值）RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）IF輸入端…
HMC7911LP5E：17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器
其關(guān)鍵特性：
轉(zhuǎn)換增益：18 dB（典型值）
邊帶抑制：30 dBc（典型值）
針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：2 dBm（典型值）
輸出三階交調(diào)截點(OIP3)：33 dBm（典型值）
RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）
IF輸入端2倍LO泄漏：-25 dBm（典型值）
RF回波損耗：13 dB（典型值）
LO回波損耗：10 dB（典型值）
HMC7911LP5E采用32引腳、5 mm × 5 mm的LFCSP封裝，這種封裝形式使得器件更加緊湊，適合高密度表面貼裝應(yīng)用?。
產(chǎn)品簡介
HMC7911LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的低應(yīng)力注射成型塑料SMT封裝。該器件提供14 dB的小信號轉(zhuǎn)換增益和25 dBc的邊帶抑制性能。
HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驅(qū)動放大器驅(qū)動LO的I/Q混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓撲結(jié)構(gòu)則降低了干擾邊帶濾波要求。HMC7911LP5E為混合型單邊帶上變頻器的小型替代器件，它無需線焊，可以使用表貼制造技術(shù)。
技術(shù)規(guī)格
產(chǎn)品：HMC7911LP5E
類型：上變頻器
射頻：17.5 GHz to 19.7 GHz
中頻：DC to 3.5 GHz
LO頻率：7.1 GHz to 11.6 GHz
增益：14 dB
NF—噪聲系數(shù)：22 dB
工作電源電壓：3.3 V, 5 V
工作電源電流：110 mA, 225 mA
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：QFN-32
工作溫度：- 40°C 至 + 85°C
OIP3 - 三階截點：31 dBm
Pd-功率耗散：1.7 W
應(yīng)用領(lǐng)域
HMC7911LP5E適用于多種應(yīng)用場景，包括：
點對點和點對多點無線電
軍用雷達、EW和ELINT
衛(wèi)星通信
傳感器
其I/Q混頻器拓撲結(jié)構(gòu)降低了干擾邊帶濾波要求，使得HMC7911LP5E適合用于需要小型化和高性能的系統(tǒng)中?。
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