CoolGaN?600V 增強型功率晶體管提供快速的開關速度和最小的開關損耗， 并實現(xiàn)最高效率的簡單半橋拓撲結構。
深圳市明佳達電子有限公司供求MOSFET IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 600V CoolGaN? 增強型功率晶體管
產(chǎn)品描述
1、IGLD60R190D1AUMA1 表面貼裝型 N 通道 600 V 10A（Tc） 62.5W（Tc） PG-LSON-8-1
系列： CoolGaN?
FET 類型： N 通道
技術： GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）： 600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：10A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： -
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： -
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 1，6V @ 960μA
Vgs（最大值）： -10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 157 pF @ 400 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）： 62.5W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應商器件封裝： PG-LSON-8-1
封裝/外殼： 8-LDFN 裸焊盤
基本產(chǎn)品編號： IGLD60
2、IGLD60R070D1AUMA3 表面貼裝型 N 通道 600 V 15A（Tc） 114W（Tc） PG-LSON-8-1
系列 CoolGaN?
FET： 類型 N 通道
技術： GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）： 600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：15A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： -
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： -
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 1，6V @ 2，6mA
Vgs（最大值）： -10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 380 pF @ 400 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）： 114W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應商器件封裝： PG-LSON-8-1
封裝/外殼： 8-LDFN 裸焊盤
介紹
CoolGaN?600V 增強型功率晶體管提供快速的開關速度和最小的開關損耗， 并實現(xiàn)最高效率的簡單半橋拓撲結構。
CoolGaN?600V系列符合全面為GaN而定制的認證，遠遠超出現(xiàn)有標準。 它針對數(shù)據(jù)通信和服務器開關電源，電信以及適配器，充電器，無線充電以及其他需要最高效率或功率密度的應用。
如有需求，歡迎致電聯(lián)系陳先生：
QQ：1668527835
電話：13410018555
郵箱：chen13410018555@163.com
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
最新資訊
![明佳達 [供應] ST (VIPER06LSTR) VIPerPlus 離線高壓轉換器IC](/upload/202505/13/202505131518391671.jpg)
